O repórter aprendeu da Universidade de Tecnologia da China Oriental há alguns dias que a equipe de energia e dispositivo limpa da escola desenvolveu independentemente uma tecnologia de crescimento universal para chip monocristalino de perovskita, que reduziu o ciclo de crescimento de cristais de 7 dias para 1,5 dias e alcançou mais de 30 Espécies de metais metálicos.Os resultados relacionados foram publicados na revista acadêmica internacional “Nature · Comunicação”.
O perovskita de halogeneto de metal é um novo tipo de material semicondutor preparado por um tipo de propriedades optoeletrônicas e preparado por solução.No entanto, esses dispositivos são atualmente usados principalmente como um filme fotocococóide para materiais ativos leves, e seus defeitos inerentes reduzirão significativamente o desempenho e a vida útil do dispositivo.Se a densidade densidade for apenas uma centena de mil em filme fino policristalino e um único chip de cristal com excelente capacidade de transporte e estabilidade, ela pode criar dispositivos optoeletrônicos de desempenho mais alto.Os cientistas comparam filmes finos policristalinos e chips de cristal único com “diamantes quebrados” e “diamantes perfeitos”, respectivamente para mostrar as vantagens e desvantagens dos dois.
Pesquisadores da Universidade de Ciência e Tecnologia da China Oriental mostram a tecnologia universal de crescimento de chip de cristal de perovskita.Foto do repórter da agência de notícias Xinhua Wu Zhendong
Por um longo tempo, não existe um método de preparação universal de chip de cristal único no mundo. Aplicação de essência de chips de cristal únicoPara múltiplos processos, como formação, dissolução, qualidade e resposta envolvidos no crescimento do crescimento único de chip -crystal de perovskita, a equipe da Universidade de Tecnologia da China Oriental combinada com vários argumentos experimentais e simulação teórica, revelando que o processo de transmissão de qualidade é Como resultado, os principais fatores que determinam a taxa de crescimento da taxa de crescimento do cristal, um sistema de crescimento representado pelo di oxigenol etanol, que regula finamente o feixe dinâmico do feixe de borracha através de grupos multi -conjunto, aumenta o coeficiente de difusão da solução por Três vezes.No sistema de fluxo alto -solúvel, os pesquisadores perceberam a temperatura do ambiente de crescimento de cristais em 60 graus Celsius, a taxa de crescimento do cristal aumentou 4 vezes e o ciclo de crescimento foi reduzido de 7 dias para 1,5 dias.
Hou Yuju, professor da Universidade de Ciência e Tecnologia da China Oriental, disse que menos de 70 graus Celsius, a taxa de crescimento de chips de metila pode atingir 8 mícrons/minutos.”Partimos das barreiras técnicas da difusão solúvel insuficiente no sistema de crescimento tradicional e fornecemos uma rota de crescimento de chip de cristal de cristal único mais universal, mais eficiente e com menor condicionamento”.
Com base nesse avanço, a equipe montou os dispositivos de detecção de radiação de cristal de alto desempenho de alto desempenho, que não apenas atingem a imagem de radiação de auto -poder, evita o limite de alta tensão de trabalho, mas também reduz bastante a intensidade da radiação. Por exemplo, o novo dispositivo do novo dispositivo é o valor da força da radiação é apenas um por cento do diagnóstico médico convencional.(Repórter Wu Zhendong)
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